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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Kingston XCCT36-MIE 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.9
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
21300
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
3795
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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