RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de 47% menor latência
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
45
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2943
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link