RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2943
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link