RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
78
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
78
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1584
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link