RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
78
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
78
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1584
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link