RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
54
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link