RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link