RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3322
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link