RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link