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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de 33% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3414
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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