RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
73
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1822
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link