RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    38 left arrow 38
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.5 left arrow 16.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.9 left arrow 10.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2829 left arrow 2829

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Pamięć RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Pamięć RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Pamięć RAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Pamięć RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Pamięć RAM