RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
32
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2774
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link