RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link