RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
10.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1693
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link