RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
92
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
22.8
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3792
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link