RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link