RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link