RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3741
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link