RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link