RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2199
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link