RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3109
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
UMAX Technology 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link