RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3109
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link