RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link