RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
24
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
22
Velocità di lettura, GB/s
16.0
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link