RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
17.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3907
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link