RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
73
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2113
1724
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link