RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
90
Wokół strony 73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
90
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1743
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link