RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
90
Около 73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
90
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1743
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link