Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 90

Около 73% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16 15.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 8.7

Среднее значение в тестах

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Причины выбрать
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 90
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 15.6
Скорость записи, Гб/сек

12.5 8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 1743

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB

Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

Kingston 9905713-017.A00G 4GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB

модули RAM