RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
63
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link