RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link