RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link