RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link