RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link