RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 33
    Около 27% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 13.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 11.0
    Среднее значение в тестах
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 11.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2608

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
модули RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
модули RAM
AMD R7416G2400U2S 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
модули RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
модули RAM