RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
77
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,884.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
60
Скорость чтения, Гб/сек
2,936.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,884.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
564
2359
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link