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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
総合得点
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
総合得点
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
15.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
60
77
周辺 -28% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
1,884.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
77
60
読み出し速度、GB/s
2,936.9
15.3
書き込み速度、GB/秒
1,884.0
11.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
564
2359
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Frequency (Mhz) *
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