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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
77
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
60
读取速度,GB/s
2,936.9
15.3
写入速度,GB/s
1,884.0
11.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2359
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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