RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link