RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3447
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link