RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3444
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link