RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3444
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link