RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
24
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link