RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link