RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
2400
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Porównanie pamięci RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link