RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
2594
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Porównanie pamięci RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link