RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
2633
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Porównanie pamięci RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link