RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1411
3075
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Porównanie pamięci RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link