RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
6.2
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1411
3075
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Сравнения RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link