RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2534
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451R7AFR8A-PB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905402-158.A00LF 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link