RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2472
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link