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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de 50% menor latência
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.5
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
52
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1610
2472
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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